（1）单晶硅片材料优势

 

单多晶的晶体生长工艺不同，单晶硅的晶面取向相同、无晶界，品质优异，而多晶硅的晶面取向不同、晶界繁杂、位错密布，晶格缺陷增多，导致单晶硅片与多晶硅片在晶体品质、电学性能、机械性能方面与单晶相比有显著差异。因此，两种材料的生产工艺与结构决定了单晶具有以下优势：1） 单晶硅比多晶硅材料具有更低的晶格缺陷；2） 单晶硅片比多晶硅片有更高的机械强度，更低的碎片率；3） 单晶硅电池比多晶硅电池的少子寿命和转换效率更高，效率提升空间更大；4） 单晶硅组件更高的集约性，更适用于屋顶等有限安装面积的分布式小型电站；5） 单晶硅电站比多晶硅电站的实际发电量多5～6％以上，单晶硅电站长期衰减比多晶硅低至少3％以上，单晶硅电站投资回报率（IRR）比多晶电站至少高2.78％。

 

（2）单晶切片成本下降空间大

 

单晶切片领域目前已普遍采用金刚线切片工艺，可以最大程度地发挥大切速、细线化、切薄片的技术优势，切割效率更高、硅损更低、出片率更高、硅片表面质量更优，从而使得金刚线单晶切片成本可以大幅度下降得更低。经测算，单晶采用金刚线切割，按照单晶硅片厚度190um测算，金刚线直径每下降10um，单片硅成本下降约0.15元、产能提升约4％；而按照金刚线母线线径100um测算，硅片厚度每降低20um，单片含硅成本下降约0.25元、产能提升约7％。随着未来金刚线母线线径和硅片厚度下降，金刚线切割单晶硅片还有很大的成本下降空间。