结合二氧化钛光降解庚烷转化率发现，TiO2的光伏响应阈值与其光催化降解庚烷活性有如下关系：随着光伏响应阈值增大，TiO2光催化降解庚烷活性增强。这一结论可由加以解释。对于光催化降解庚烷过程，主要表现为光氧化过程，也就是说价带中的光生空穴起着非常主要的作用。如所示，4个TiO2样品具有不同的带隙宽度，它们的价带处于深浅不同的能级位置。

　　TiO2受光激发产生光生电子和空穴，由于TiO2是n型半导体，其光生空穴移向表面并具有很强的氧化能力，使CDC键断裂最终生成CO2和H2O.由可见，无论TiO2是何种晶型，从D到A随着其阈值逐渐增加，禁带宽度增大，价带相对位置逐渐降低，价带电位变得更正，空穴的氧化能力逐渐增强<7>，因此在紫外光照（h≥Eg）下，其光催化活性逐渐增强。这一结论也在一定程度上解释了为什么在通常情况下，金红石型TiO2要比锐钛矿型TiO2光催化活性小，因为金红石型TiO2的光电阈值一般总是小于锐钛矿型的光电阈值，禁带变窄，从而降低了光生电子/空穴的氧化还原电位。以此为依据，可以简单直观地通过表面光电压谱实现对TiO2光催化活性的定性判断。

　　表面吸附物对光催化活性与光伏特性的影响为了检测TiO2光催化氧化反应后活性的变化，选择催化剂B分别催化氧化C7H16，SO2和C7H16+SO2。经3次反应后的TiO2依次为B-1，B-2，B-3.发现B-1TiO2的活性仅略有下降，而B-2，B-3的活性则急剧下降，为此进行了SPS及FISPS研究。发现表面吸附物影响催化剂表面层的导电类型，从而影响其光催化氧化活性。因为通常情况下，n型半导体具有较高的光氧化能力，而p型半导体具有较强的光还原能力，且光催化反应发生在TiO2表面。由于吸附于TiO2表面的O2可从其导带俘获电子变成O-2，从而减少光生电子与空穴的复合，产生有效的电荷分离<1>，因而向光催化体系通入O2可以提高光催化活性。但是其它表面吸附物可能会降低光催化剂的活性，如硫化物。由IR光谱可见，在B-2，B-3TiO2表面有硫化物吸附（对应于1000～1300cm-1的振动吸收峰）.具有相反方向的SPS响应。由于测试条件基本相同，因此我们认为它们的表面层具有不同的导电类型。这一结论可由FISPS得到证实。