77K温度下的I-V曲线77K温度下的R-V曲线另外在测试中发现，有光照时反向电流的增加量基本不随电压变化。

　　器件2置于液氮温度下，测得其反向I-V曲线如所示。不加栅压Vg时，二极管在很小的反向偏压（Vd）下就呈现出明显的软击穿；当Vd固定而栅极电压（Vg）在5-10V的范围内变化时，Vg越负则反向漏电流越小。当Vg达到-15V时，反向漏电流反而又增大了。

　　77K温度下不同栅压时的反向I-V曲线液氮温度下，测试的MIS器件的C-V曲线如所示。结果显示，在1MHz下C-V曲线仍呈现低频特性，有滞后现象，表面平带电压为-11-7.2V.由此可以推断：未加栅压时p型区表面已形成反型层。当绝缘层厚度为3500Ab，平带电压为-11V时，用公式Qfc=-C0（VFB+VMS）<6>可计算出绝缘层中的固定电荷数Qfc，其中C0为绝缘层单位面积电容，VFB为平带电压，VMS=（WS-WM）/q，WS、WM分别为半导体材料和金属的功函数，q为电子电量。所用器件2中Hg1-xCdxTe材料x=0.21，掺杂浓度P=1.6@1016cm-3，功函数WS=4.33eV，电极Cr的功函数WM=4.6eV<6>，最后可计算出表面电荷密度Nfc=Qfc/q=1.5@1012cm-2。Nfc为正，说明绝缘层中有大量的固定正电荷，其感应出的负电荷使p型区表面已反型。

　　77K温度下的C-V曲线这一反型层引入了并联的场感应结，如所示。理论认为<6>，场感应结有它自己的击穿电压，而且很多情况下场感应结比掺杂形成的p-n结的击穿电压要低，这时结特性主要由场致结决定。器件2的反向I-V特性差，在很小的反向偏压下就出现明显的软击穿，可以用场感应结引入大的表面沟道电流来解释。