TiO2的本征半导体导电性是n型，所以上面是对于n-TiO2的实验结果。光电压谱实验表明，掺杂氮后，TiO2的半导体的导电性能发生了变化。是365nm光照前和光照不同时间后氮掺杂TiO2膜的表面光电压谱。从可看到，表面光电压有2个相反的响应谱带；外场调制的光电压谱实验（谱图略）显示，右边的峰位在354nm处谱带随外加正偏压的增大而增大，属于氮掺杂引起的p型的响应带；而左边的峰位在321nm的谱带随外加负偏压的增大而增大，这可归属于不饱和TiO2形成的n型的响应。因此我们制备的氮掺杂TiO2膜主要表现出p型导电性，但同时也有n型导电性。

　　如所示，光照处理氮掺杂的TiO2膜导致其亲水性提高。因为掺氮后膜的主要成分是TiO2，所以我们认为膜转变为亲水性仍然是由于在表面形成了TiDOH的缘故。显示光照后2个谱峰的强度都降低，原因也可能是由于TiDOH的作用。对于氮掺杂的TiO2膜的p型微区，受到光照时产生的自由电子在表面能带弯曲处沿导带向表面移动<（A）>，自由空穴沿价带向体相移动，但同时空穴易于被表面羟基捕获，使电子与空穴在表面相遇，复合几率增大，导致光电压降低。

　　氮杂TiO2膜同时具有p和n型的TiO2，相应地在膜的微结构上将存在p型TiO2微区和n型TiO2微区的交替分布。（B）所示的是p和n型的TiO2的相对能级图。当p和n型TiO2相互分离时，它们具有不同的费米能级，n型的能级将高于p型，但当它们相互接近时，费米能级互相调整为同一水平，从而在平衡条件下形成（B）所示的能级结构。在光照处理中，由于p型微区和n型TiO2的能级差<（B）>，n型TiO2产生的空穴传递到p型微区，p型微区的电子传递到n型TiO2微区，结果n型TiO2微区氧缺陷减少，表面羟基也随之减少，所以它的光电压没有随光照时间增长而增加，反而在与p型微区共存时因光照而降低。