目前，经济有效的绒面制备技术是困扰多晶硅太阳能电池工业化生产的一大难题。为有效地减少人射到电池表面的太阳光的损失，常规的制备方法，对于单晶硅可以通过NaOH各向异性腐蚀法，在其表面形成随机分布的金字塔织构，从而有效增加光吸收。而对于多晶硅，由于它各个晶粒的晶向不同，使用碱腐蚀仅能在（1）取向的晶粒上得到好的金字塔表面。为了取得较好的多晶硅表面织构，人们还尝试了机械刻槽、反应离子刻蚀和激光刻槽，虽然都取得了成功，但它们对于原料和设备都有较篼要求，不适合于工业化大规模生产。与此同时，人们还采用了化学腐蚀和电化学腐蚀方法制备多孔硅，它能够有效降低具有不同取向的晶粒表面的光损失，其中化学腐蚀法由于操作简单，更适合于工业化生产。本文采用酸腐蚀法制备了多孔硅，通过显微镜观察了它的表面形貌，用紫外激发观察了它的荧光光谱并比较了不同配比下反射光谱的差异。在lcmXlcm单晶和多晶硅常规电池上通过黑胶保护电极制备了多孔硅，比较了制备多孔硅前后电池的各项数据，。从图中628nm和660nm处可以观察到两个较宽的荧光峰。这表明用我们的方法腐蚀的样品并非简单的织构化，而是得到了多孔硅的表面结构。