大家看一下今天的成本，我们在中国看到，中国制造业极大的改进，但是仍然很高，占到整体的40%。现在路线图会看到他们未来的发展并不会非常好，而如果我们使用切割技术，它可以有极大的改进，成本非常低，同样有更高的效率，也可以带来很好的经济结构，更高的物理的纯度，还有其他的很多的特性，可以用在切割的过程当中。

 

我们这里说一下微结构，我们看一下这一页，我们看一下它的故障率。到下边的时候可以看到材料的质量会有所恶化，同样在杂质的方面也是非常不一样的，在铸件的最下方，可能会跟机器相接触，所以会有很多的杂质有影响，这部分不需要割掉，上面也是一样，在凝固的时候会有很多杂质到上方来，所以必须要切掉。大家可以看到性能的波动，如果仔细的看一下电池当中的晶体结构，在左边可以看到标准铸造的电池，可以看到很多黑点，还有很多的位移，很多的不完美。位移度更少，均匀度更好，可以看到另外一面，不同铸锭左边到右边的均匀度，左边是传统的方式，右边还是注解硅片法的方式。如果我们看一下整个组件，可以看一下它的位移，看到当前的位移，整个硅片的影响，在不同的流程当中可以带来不同的变化，如果我们看一下硅片结构，我们可以说每一个步骤都是一样的，有更好的经济结构，更好的材料质量，更好的经济结构也带来了更高的纯度。这边是一些ICP的分析，是由一家公司来做的，他们是在超声波实验室里边做的检测，蓝色是标准平均的硅片，可以看到会有很多不同的杂质。橙色就是在直接硅片当中找到的，几乎在所有关键的元素当中，直接硅片是更准的，包括了铝、铜、镍等等，所以这些都是更纯的，这也是一个全新的工艺，一个很好的机会，可以帮助我们来接近硅片更好的纯度。

 

同样我们也可以通过这个流程在做硅片的两面减少掺杂，这样的发明有一个掺杂的梯度，所以我们可以看到这幅图，右边可以看到在直接做到的，下方会有更高的掺杂提督，换句话说这样的掺杂在收集区带来更好的传递度，可以带来更高的效率，而且是全生命周期更高的效率，这样的一些特性只能通过全新的技术来达成，更好的经济结构，更好的纯度，更多新的特性，它的结果是什么呢?会带来更高的效率了。这也显示了我们的行业标准，在两年的研发过程当中，我们显示可以提高0.8%的性能，0.8%每年，可以说超过了业界一辈，它这边有着极大的潜力还没有开发，这是我们可以进一步来改进纯度、优化硅片制作流程并且做极大迅速的方法，这是超过一万个晶片使用在这个实验当中，平均的效率是23%，比标准的多晶要提高很多，换句话说流程更好，效率更高，这是21世纪使用的技术。